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「光刻機的定位分辨率一般來說，比制程分辨率會高一到兩代。」

「我們新科目前采用的芯片制程是0.35微米技術，定位分辨率則能夠達到0.25微米水平。」

「按照正常的研發序列，我們接下來五年時間里會陸續開發出0.18和0.13微米級別的定位分辨率技術。」

「受限於我們目前的技術水平，到2004年我們最多可以把定位分辨率推進到90納米。」

送走了林千軍，王中軍在實驗室的閉門小會里露出了一臉愁容。

大家打完了雞血，熱情卻不能直接變成科研成果，而科學技術又從來不以人的意志為轉移。

所以在說到具體問題的時候，該掉頭發還是要掉頭發的。

「情況就是這么個情況，我們現在能夠做到0.25微米已經是為了追趕國際先進水平，付出極大壓力之後的成果了。」

「可是如果要滿足有關單位的需求，我們的納米光柵必須達到100納米的分辨率。這已經不是亞微米技術，而是微納米的范疇了。也就是說，我們需要跨越至少五年時間的技術發展，將定位分辨率提前推到100納米。」

王中軍說到這里不由皺起眉頭，手摸著煙盒卻沒有打開：「都說說吧，有什么思路沒有？」

下面實驗室里的研究員們面面相覷，跟著一起犯起了難。

「繼續采用化學蝕刻法怎么樣？如同通過多次曝光的技術……」

「不行的，化學蝕刻法的各向異性太差了。即使是重復曝光蝕刻，也會導致兩側侵蝕，精度必然達不到100納米的要求。」

納米光柵的制作技術，其實和制作芯片差不多，一樣是通過在硅片上塗抹光刻膠，然後反復曝光、蝕刻，最後形成符合精度要求的光柵。不過目前業界通常采用的化學蝕刻方法，卻在微納米級條件下並不適用了。

化學蝕刻法用通俗的話來說，就是在晶圓上塗布光刻膠，然後通過曝光去除光刻膠，再用腐蝕性材料對暴露出來的硅片進行腐蝕，最後形成集成電路需要的結構。

但這也有一個問題，濕法化學蝕刻用的蝕刻液在蝕刻中，各向異性的不佳會導致在光刻膠覆蓋下的晶圓同樣也有一部分被侵蝕了。反過來說，就是濕法化學蝕刻的各向同性性能很好，不僅能向下侵蝕，同樣也能向左右侵蝕。

這樣一來，對精度要求高的情況下，這種技術顯然就天然不適用了。

第一個提議被斃了，這無疑讓其他人謹慎了許多。原本還想開口的人，臉上也皺起了眉頭。

「100納米的測量能力，美國人有沒有？他們是怎么實現的？」

「怎么沒有？沒有這個能力，哈勃望遠鏡怎么上天？勞倫斯實驗室的光學加工設備有10納米的精度、1納米的定位分辨率，早就走到我們的終點線了。」

「1納米的精度啊，他們是怎么實現的！」下面小聲討論的人，聽到自己競爭對手的成績，甚至都要忍不住要贊嘆出來。

勞倫斯利弗莫爾實驗室的光學車床，可以說是全世界加工精度最高的設備了。早在八十年代，在開發哈勃望遠鏡的過程中，美國空軍就掌握了100納米精度、80厘米直徑的超精密大型球面的加工能力，為後來的一系列鎖眼衛星掃平了最大的障礙。

「怎么實現的？砸錢唄，為了減弱地震波對設備的影響，在整個實驗室的地基上配了減震，這種事情咱們連想都不敢想吧？」

「怎么不敢想？」

誰也沒想到，一直在前面默不作聲的王中軍，竟然突然說了一句話。

「不就是錢嗎？如果給房子裝減震就能提升加工精度，那我們干嘛不這么做？」

「給房子裝減震……很費錢的嗎？」

王中軍這話一說出來，下面人竟然稍微安靜了片刻，然後紛紛深吸了一口氣。

是啊……新科差錢嗎？

下面這些研究員的思維，主要還是沒放開。一方面是之前的工作都是按部就班，主要方向就是挖掘現有技術的極限。從濕法蝕刻向干法蝕刻轉變，或者再遠點就考慮等離子刻蝕，這已經是業界最新動態了。

另一個人難免受社會環境影響，這種付出極大成本去減少很微弱誤差的投入產出比，總感覺未免有些敗家了。

雖然王中軍的實驗室每年的科研經費都不缺，可花錢畢竟也是需要想象力的。