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1980年左右，中科院半導體所開始研制jk-1型半自動接近式光刻機，於1981年研制成功兩台樣機。

而由於美國在50年代就已經擁有了接觸式光刻機，相比之下，中國落後了將近20年，同時國外從1978年開始轉向分步重復投影光刻，此時中國科學界也認識到，分布投影光刻技術的優越性，但限於國內工業技術差難以實現。

在1978年世界上第1台dsw光刻機問世不久，機電部第45所，就開始跟蹤研究分步式光刻機，對標美國的4800dsw，1985年研制出了bg-101分部光刻機樣機，並通過電子部技術鑒定，認為達到了美國同類產品水平，而當時采用的是436納米g線光源。

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這也就意味著1985年的時候，中國在高科技領域與國外的差距拉近到了7年左右，也就是達到了美國1978年的水平。

可以看出國產光刻機。研發在上世紀70年代後期起不直到80年代，後期技術一直在推進，並且取得了一定的代表性成果。

然而到了80年代中後期，中國卻因為技術封鎖以及買辦思想盛行，造成了光刻機的落後。

當時的巴統協議不批准向中國出售先進的設備，國外工藝線已用0.5微米的設備時，卻只對我國出口1.5微米的設備，整整差了三代，此外8組還規定對我國出口的光刻機鏡頭na必須小於0.17，既只能有二微米以上的分辨率。

所以說目前段雲從日本東芝引進的三微米芯片制程生產線，是正好符合巴統協議要求的，而目前日本最先進的0.9微米制程的芯片生產線，是巴統協議嚴格禁止對中國出口的。

段雲如果想制作出一微米制程的芯片，目前是不可能從國外直接買到現成設備的，只能靠國內研發。

因為買辦思想的盛行，當時中國的光刻機雖然技術領先，但是也遇到很多的問題，因為搞研發就需要有很多的資金投入，但這些資金投入之後，有一些技術上的問題，在當時又不能夠很好的解決，因此看到國外很多先進的設備之後，國家也就放棄了，對設備的研發變成了購買。

這樣最終就導致了中國的光刻機研發上完全停滯，很多搞光刻機研發公司因為沒有資金的支持就變得岌岌可危，最後公司也倒閉破產。

段雲如果想制作出世界領先的nand閃存芯片，並且在閃存芯片領域保持長期的優勢地位，那就必須要有更先進的光刻機。

在摩爾定律下，每18個月集成電路上可容納的晶體管數目就會增加一倍，這就需要生產芯片的光刻機保持迭代。

段雲可以選擇投資開發國產光刻機，但投入的資金比較大，而且周期也比較長，有點遠水解不了近渴。

經過一番思考後，段雲決定做兩方面的准備，一方面就是和國內的科研院所相關機構合作，共同開發工作機。

另外一方面就是要想方設法從國外直接購買作為先進的一微米制成光刻機，解決當前的芯片生產線升級問題。

但是從哪一家購買光刻機卻成了一個問題。