第三百八十四章

目前，發展較好的寬禁帶半導體主要是s這兩種。

在燕大的半導體研究中心這，主要研究的寬禁帶半導體對象是gan。

在gan基寬禁帶半導體領域，該研究中心一直處於國內領先地位。

注冊擁有的和gan寬禁帶半導體有關的發明專利，多達二十多個。

包括gan基外延層的大面積、低功率激光剝離方法，銦鎵氮單晶薄膜mocvd外延生長技術等等。

第三代寬禁帶半導體擁有良好的物理化學性能，可應用在諸多的領域。

而現在，根據第三代半導體的發展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域。

各個領域產業成熟度各不相同。

但在前沿研究領域，寬禁帶半導體還處於實驗室研發階段。

目前市面上主流的半導體，還是以第一代半導體和第二代半導體為主。

其原因嘛

當然是第三代寬禁帶半導體還有很多技術難題沒有攻克。

燕大的半導體研究所正在進行的工作，就是全力攻克這些難題，早日實現第三代半導體技術的徹底成熟，應用於市場。

寬禁帶半導體實驗室，顧律三人穿著深棕色的實驗服，在張主任的帶領下走進去。

實驗室的面積很大。

將近有半個籃球場的大小。

一眼望去，可以看到實驗室內數位研究員在各台儀器前緊張的忙碌著。

「主任好。」

「主任好。」

幾位年輕的研究員助理見到張主任進來，客氣的打招呼。

張主任點點頭，然後擺擺手，「你們接著忙，接著忙。」

「我們先去mocvd那邊吧。」張主任壓低聲音，詢問顧律。

顧律點頭一笑。

張主任帶著顧律來到一台一個高的長方形設備面前。

「這個就是我們實驗室的mocvd了」張主任拍拍設備外面的鐵殼，笑著為顧律介紹。

顧律上下打量了這台設備一番。

所謂的mocvd，是在氣相外延生長的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。

該設備以3族、2族元素的有機化合物和v、6族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種3v主族、26副族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。

上面說的有些復雜。

簡單來理解的話，就是通過這台mocvd設備，可以將有機化合物和氫化物，合稱為實驗室所需的gan寬禁帶半導體。

這是一台生長寬禁帶半導體的儀器。

顧律在國外見過這種設備。

不過國內和國外的mocvd系統是有些區別的。

因為mocvd系統最關鍵的問題就是保證材料生長的均勻性和重復性，所以國內和國外mocvd系統的主要區別在於反應室結構。

在國外，反應室結構大多采用turbodisc反應，而國內則是采用行星反應。

兩者各有其優劣，說不上誰更好。